每年最高省30%
1. 操作外延炉等设备，进行气体纯化、四氯化硅精储，在单晶片上生长单晶层；
2. 使用高温炉，在半导体晶体表面制备氧化层，使杂质由晶片表面向内部扩散或进行其他热处理；
3. 操作离子注入设备，电离加速原子或分子，注入晶体，并退火激活；
4. 操作气相淀积设备，在衬底表面淀积一层固态薄膜；
5. 操作光刻机，在半导体表面掩膜层上刻制图形；
6. 操作机械加工等设备，对晶片加工形成器件台面，并对表面做钝化保护；
7. 操作溅射、蒸发等真空镀膜设备，在晶片表面沉积一层具有特殊性能的薄膜；
8. 操作电镀设备，对半导体晶片、器件、集成电路、传感器的金属电极特定部位进行镀覆。
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